Cydrannau Electronig Sglodion IC Cylchedau Integredig IC TPS74701QDRCRQ1 prynu un fan a'r lle

Y berthynas rhwng wafferi a sglodion

Trosolwg o wafferi

Er mwyn deall y berthynas rhwng wafferi a sglodion, mae'r canlynol yn drosolwg o elfennau allweddol gwybodaeth wafferi a sglodion.

(i) Beth yw afrlladen

Wafferi yw wafferi silicon a ddefnyddir i gynhyrchu cylchedau integredig lled-ddargludyddion silicon, a elwir yn wafferi oherwydd eu siâp crwn;gellir eu prosesu ar wafferi silicon i ffurfio amrywiaeth o gydrannau cylched a dod yn gynhyrchion cylched integredig gyda swyddogaethau trydanol penodol.Y deunydd crai ar gyfer wafferi yw silicon, ac mae cyflenwad dihysbydd o silicon deuocsid ar wyneb cramen y ddaear.Mae mwyn silicon deuocsid yn cael ei fireinio mewn ffwrneisi arc trydan, wedi'i glorineiddio ag asid hydroclorig a'i ddistyllu i gynhyrchu polysilicon purdeb uchel gyda phurdeb o 99.99999999999%.

(ii) Deunyddiau crai sylfaenol ar gyfer wafferi

Mae silicon yn cael ei fireinio o dywod cwarts ac mae wafferi yn cael eu puro (99.999%) o'r elfen silicon, sydd wedyn yn cael ei wneud yn wiail silicon sy'n dod yn ddeunydd ar gyfer lled-ddargludyddion cwarts ar gyfer cylchedau integredig.

(iii) Proses gweithgynhyrchu wafferi

Wafferi yw'r deunydd sylfaenol ar gyfer gweithgynhyrchu sglodion lled-ddargludyddion.Y deunydd crai pwysicaf ar gyfer cylchedau integredig lled-ddargludyddion yw silicon ac felly mae'n cyfateb i wafferi silicon.

Mae silicon i'w gael yn eang mewn natur ar ffurf silicadau neu silicon deuocsid mewn creigiau a graean.Gellir crynhoi gweithgynhyrchu wafferi silicon mewn tri cham sylfaenol: mireinio a phuro silicon, twf silicon crisial sengl, a ffurfio wafferi.

Y cyntaf yw puro silicon, lle mae deunydd crai tywod a graean yn cael ei roi mewn ffwrnais arc trydan ar dymheredd o tua 2000 ° C ac ym mhresenoldeb ffynhonnell carbon.Ar dymheredd uchel, mae'r carbon a'r silicon deuocsid yn y tywod a'r graean yn cael adwaith cemegol (mae carbon yn cyfuno ag ocsigen, gan adael silicon) i gael silicon pur gyda phurdeb o tua 98%, a elwir hefyd yn silicon gradd metelegol, nad yw'n yn ddigon pur ar gyfer dyfeisiau microelectroneg oherwydd bod priodweddau trydanol deunyddiau lled-ddargludyddion yn sensitif iawn i grynodiad amhureddau.Felly mae silicon gradd metelegol yn cael ei buro ymhellach: mae'r silicon gradd metelegol wedi'i falu yn destun adwaith clorineiddio â hydrogen clorid nwyol i gynhyrchu silane hylif, sydd wedyn yn cael ei ddistyllu a'i leihau'n gemegol trwy broses sy'n cynhyrchu silicon polycrystalline purdeb uchel gyda phurdeb o 99.9999999999 %, sy'n dod yn silicon gradd electronig.

Nesaf daw twf silicon monocrystalline, y dull mwyaf cyffredin o'r enw tynnu uniongyrchol (dull CZ).Fel y dangosir yn y diagram isod, mae polysilicon purdeb uchel yn cael ei roi mewn crucible cwarts a'i gynhesu'n barhaus gyda gwresogydd graffit o amgylch y tu allan, gan gynnal y tymheredd ar oddeutu 1400 ° C.Mae'r nwy yn y ffwrnais fel arfer yn anadweithiol, gan ganiatáu i'r polysilicon doddi heb greu adweithiau cemegol diangen.I ffurfio crisialau sengl, mae cyfeiriadedd y crisialau hefyd yn cael ei reoli: mae'r crucible yn cael ei gylchdroi gyda'r toddi polysilicon, mae grisial hadau yn cael ei drochi ynddo, ac mae gwialen dynnu yn cael ei gludo i'r cyfeiriad arall wrth ei dynnu'n araf ac yn fertigol i fyny o'r toddi silicon.Mae'r polysilicon tawdd yn glynu wrth waelod y grisial hadau ac yn tyfu i fyny i gyfeiriad trefniant dellt y grisial hadau.