Cylchdaith Integredig Gwreiddiol Newydd BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC Chip

Cylchdaith Integredig Gwreiddiol Newydd BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D Delwedd Sglodion dan Sylw

disgrifiad byr:

Anfonwch e-bost atom Lawrlwythwch Daflen Ddydd

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

BSZ040N06LS5

Mae lefel rhesymeg pŵer MOSFETs OptiMOS™ 5 Infineon yn addas iawn ar gyfer cymwysiadau gwefru diwifr, addasydd a thelathrebu.Mae tâl giât isel y dyfeisiau (Q g) yn lleihau colledion newid heb gyfaddawdu ar golledion dargludiad.Mae'r ffigurau teilyngdod gwell yn caniatáu gweithrediadau ar amleddau switsio uchel.Ar ben hynny, mae'r gyriant lefel rhesymeg yn darparu tair adwy iselfoltedd dal (V GS(th)) sy'n caniatáu i'r MOSFETs gael eu gyrru ar 5V ac yn uniongyrchol o ficroreolyddion.

Crynodeb o Nodweddion
R DS isel (ymlaen) mewn pecyn bach
Tâl giât isel
Tâl allbwn is
Cydweddoldeb lefel rhesymeg

Budd-daliadau
Dyluniadau dwysedd pŵer uwch
Amlder newid uwch
Mae rhannau llai yn cyfrif lle bynnag y mae cyflenwadau 5V ar gael
Wedi'i yrru'n uniongyrchol gan ficroreolyddion (newid araf)
Lleihau costau system

Parametrics

Parametrics	BSZ040N06LS5
Pris Cyllidebol €/1k	0.56
Ciss	2400 pF
Coss	500 pF
ID (@25°C) ar y mwyaf	101 A
IDpuls uchafswm	404 A
Mowntio	SMD
Tymheredd Gweithredu Isafswm mwyaf	-55 °C 150 °C
Ptot max	69 Gw
Pecyn	PQFN 3.3 x 3.3
Cyfrif Pin	8 Pin
Polaredd	N
QG (teipio @4.5V)	18 nc
Qgd	5.3 nC
RDS (ymlaen) (@4.5V LL) max	5.6 mΩ
RDS (ymlaen) (@4.5V) max	5.6 mΩ
RDS (ymlaen) (@10V) max	4 mΩ
Rth max	1.8 K/W
RthJA max	62 K/W
RthJC uchafswm	1.8 K/W
VDS uchafswm	60 V
VGS(th) min max	1.7 V 1.1 V 2.3 V