Transistor BSZ100 newydd gwreiddiol PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Sglodion IC cylched integredig mewn stoc
Nodweddion Cynnyrch
| MATH | DISGRIFIAD |
| Categori | Cynhyrchion Lled-ddargludyddion Arwahanol |
| Mfr | Technolegau Infineon |
| Cyfres | OptimOS™ |
| Pecyn | Tâp a Rîl (TR) Tâp Torri (CT) Digi-Reel® |
| Statws Cynnyrch | Actif |
| Math FET | N-Sianel |
| Technoleg | MOSFET (Metal Ocsid) |
| Draenio i Foltedd Ffynhonnell (Vdss) | 60 V |
| Cyfredol – Draen Parhaus (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Foltedd Gyriant (Max Rds On, Isafswm Ffyrdd Ymlaen) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Uchafswm) @ Id | 3.3V @ 14µA |
| Tâl Giât (Qg) (Uchafswm) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Vgs (Uchafswm) | ±20V |
| Cynhwysedd Mewnbwn (Ciss) (Max) @ Vds | 1075 pF @ 30 V |
| Nodwedd FET | - |
| Gwasgariad Pŵer (Uchafswm) | 2.1W (Ta), 36W (Tc) |
| Tymheredd Gweithredu | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Math Mowntio | Mount Wyneb |
| Pecyn Dyfais Cyflenwr | PG-TSDSON-8-FL |
| Pecyn / Achos | 8-PowerTDFN |
| Rhif Cynnyrch Sylfaenol | BSZ100 |
Dogfennau a'r Cyfryngau
| MATH O ADNODDAU | CYSYLLTIAD |
| Taflenni data | BSZ100N06NS |
| Dogfennau Perthnasol Eraill | Canllaw Rhif Rhan |
| Cynnyrch dan Sylw | Systemau Prosesu Data |
| Taflen ddata HTML | BSZ100N06NS |
| Modelau Efelychu | MOSFET Model Sbeis N-Sianel OptiMOS™ 60V |
Dosbarthiadau Amgylcheddol ac Allforio
| NODWEDDIAD | DISGRIFIAD |
| Statws RoHS | Cydymffurfio â ROHS3 |
| Lefel Sensitifrwydd Lleithder (MSL) | 1 (Anghyfyngedig) |
| Statws REACH | REACH Heb ei effeithio |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Adnoddau Ychwanegol
| NODWEDDIAD | DISGRIFIAD |
| Enwau Eraill | BSZ100N06NSATMA1TR SP001067006 BSZ100N06NSATMA1CT BSZ100N06NSATMA1DKR BSZ100N06NSATMA1-ND |
| Pecyn Safonol | 5,000 |
Dyfais lled-ddargludyddion yw transistor a ddefnyddir yn gyffredin mewn mwyhaduron neu switshis a reolir yn electronig.Transistorau yw'r blociau adeiladu sylfaenol sy'n rheoleiddio gweithrediad cyfrifiaduron, ffonau symudol, a phob cylched electronig modern arall.
Oherwydd eu cyflymder ymateb cyflym a chywirdeb uchel, gellir defnyddio transistorau ar gyfer amrywiaeth eang o swyddogaethau digidol ac analog, gan gynnwys ymhelaethu, newid, rheolydd foltedd, modiwleiddio signal ac osgiliadur.Gellir pecynnu transistorau yn unigol neu mewn ardal fach iawn sy'n gallu dal 100 miliwn neu fwy o transistorau fel rhan o gylched integredig.
O'i gymharu â'r tiwb electron, mae gan y transistor lawer o fanteision:
Nid oes gan 1.Component unrhyw ddefnydd
Ni waeth pa mor dda yw'r tiwb, bydd yn dirywio'n raddol oherwydd newidiadau mewn atomau catod a gollyngiadau aer cronig.Am resymau technegol, roedd gan y transistorau yr un broblem pan gawsant eu gwneud gyntaf.Gyda datblygiadau mewn deunyddiau a gwelliannau mewn sawl agwedd, mae transistorau fel arfer yn para 100 i 1,000 gwaith yn hirach na thiwbiau electronig.
2.Consume ychydig iawn o bŵer
Dim ond un rhan o ddeg neu ddegau o un o'r tiwb electron ydyw.Nid oes angen iddo gynhesu'r ffilament i gynhyrchu electronau rhydd fel y tiwb electron.Dim ond ychydig o fatris sych sydd eu hangen ar radio transistor i wrando am chwe mis y flwyddyn, sy'n anodd ei wneud ar gyfer radio tiwb.
3.Nid oes angen cynhesu ymlaen llaw
Gweithiwch cyn gynted ag y byddwch yn ei droi ymlaen.Er enghraifft, mae radio transistor yn diffodd cyn gynted ag y caiff ei droi ymlaen, ac mae teledu transistor yn gosod llun cyn gynted ag y caiff ei droi ymlaen.Ni all offer tiwb gwactod wneud hynny.Ar ôl y gist, arhoswch am ychydig i glywed y sain, gweld y llun.Yn amlwg, mewn milwrol, mesur, recordio, ac ati, mae transistorau yn fanteisiol iawn.
4.Strong a dibynadwy
100 gwaith yn fwy dibynadwy na'r tiwb electron, ymwrthedd sioc, ymwrthedd dirgryniad, sy'n anghymharol â'r tiwb electron.Yn ogystal, dim ond un rhan o ddeg i un ganfed o faint y tiwb electron yw maint y transistor, ychydig iawn o ryddhau gwres y gellir ei ddefnyddio i ddylunio cylchedau bach, cymhleth, dibynadwy.Er bod y broses weithgynhyrchu transistor yn fanwl gywir, mae'r broses yn syml, sy'n ffafriol i wella dwysedd gosod cydrannau.
