TO-252 IPD33CN10NG Gyda Transistor Sglodion o Ansawdd Uchel Pris Newydd a Gwreiddiol
Nodweddion Cynnyrch
MATH | DISGRIFIAD |
Categori | Cynhyrchion Lled-ddargludyddion Arwahanol |
Mfr | Technolegau Infineon |
Cyfres | OptimOS™ |
Pecyn | Tâp a Rîl (TR) Tâp Torri (CT) Digi-Reel® |
Statws Cynnyrch | Actif |
Math FET | N-Sianel |
Technoleg | MOSFET (Metal Ocsid) |
Draenio i Foltedd Ffynhonnell (Vdss) | 100 V |
Cyfredol – Draen Parhaus (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
Foltedd Gyriant (Max Rds On, Isafswm Ffyrdd Ymlaen) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 27A, 10V |
Vgs(th) (Uchafswm) @ Id | 4V @ 29µA |
Tâl Giât (Qg) (Uchafswm) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
Vgs (Uchafswm) | ±20V |
Cynhwysedd Mewnbwn (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 50 V |
Nodwedd FET | - |
Gwasgariad Pŵer (Uchafswm) | 58W (Tc) |
Tymheredd Gweithredu | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Math Mowntio | Mount Wyneb |
Pecyn Dyfais Cyflenwr | PG-TO252-3 |
Pecyn / Achos | TO-252-3, DPak (2 Arwain + Tab), SC-63 |
Rhif Cynnyrch Sylfaenol | IPD33CN10 |
Adrodd Gwall Gwybodaeth Cynnyrch
Gweld Tebyg
Dogfennau a'r Cyfryngau
MATH O ADNODDAU | CYSYLLTIAD |
Taflenni data | IPx3xCN10N G |
Dogfennau Perthnasol Eraill | Canllaw Rhif Rhan |
Cynnyrch dan Sylw | Systemau Prosesu Data |
Taflen ddata HTML | IPx3xCN10N G |
Modelau Efelychu | Model Sbeis N-Channel MOSFET OptiMOS™ 100V |
Dosbarthiadau Amgylcheddol ac Allforio
NODWEDDIAD | DISGRIFIAD |
Statws RoHS | Cydymffurfio â ROHS3 |
Lefel Sensitifrwydd Lleithder (MSL) | 1 (Anghyfyngedig) |
Statws REACH | REACH Heb ei effeithio |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Adnoddau Ychwanegol
NODWEDDIAD | DISGRIFIAD |
Enwau Eraill | IPD33CN10NGATMA1-ND IPD33CN10NGATMA1CT IPD33CN10NGATMA1TR SP001127812 IPD33CN10NGATMA1DKR |
Pecyn Safonol | 2,500 |
Dyfais lled-ddargludyddion yw transistor a ddefnyddir yn gyffredin mewn mwyhaduron neu switshis a reolir yn electronig.Transistorau yw'r blociau adeiladu sylfaenol sy'n rheoleiddio gweithrediad cyfrifiaduron, ffonau symudol, a phob cylched electronig modern arall.
Oherwydd eu cyflymder ymateb cyflym a chywirdeb uchel, gellir defnyddio transistorau ar gyfer amrywiaeth eang o swyddogaethau digidol ac analog, gan gynnwys ymhelaethu, newid, rheolydd foltedd, modiwleiddio signal ac osgiliadur.Gellir pecynnu transistorau yn unigol neu mewn ardal fach iawn sy'n gallu dal 100 miliwn neu fwy o transistorau fel rhan o gylched integredig.
O'i gymharu â'r tiwb electron, mae gan y transistor lawer o fanteision:
Nid oes gan 1.Component unrhyw ddefnydd
Ni waeth pa mor dda yw'r tiwb, bydd yn dirywio'n raddol oherwydd newidiadau mewn atomau catod a gollyngiadau aer cronig.Am resymau technegol, roedd gan y transistorau yr un broblem pan gawsant eu gwneud gyntaf.Gyda datblygiadau mewn deunyddiau a gwelliannau mewn sawl agwedd, mae transistorau fel arfer yn para 100 i 1,000 gwaith yn hirach na thiwbiau electronig.
2.Consume ychydig iawn o bŵer
Dim ond un rhan o ddeg neu ddegau o un o'r tiwb electron ydyw.Nid oes angen iddo gynhesu'r ffilament i gynhyrchu electronau rhydd fel y tiwb electron.Dim ond ychydig o fatris sych sydd eu hangen ar radio transistor i wrando am chwe mis y flwyddyn, sy'n anodd ei wneud ar gyfer radio tiwb.
3.Nid oes angen cynhesu ymlaen llaw
Gweithiwch cyn gynted ag y byddwch yn ei droi ymlaen.Er enghraifft, mae radio transistor yn diffodd cyn gynted ag y caiff ei droi ymlaen, ac mae teledu transistor yn gosod llun cyn gynted ag y caiff ei droi ymlaen.Ni all offer tiwb gwactod wneud hynny.Ar ôl y gist, arhoswch am ychydig i glywed y sain, gweld y llun.Yn amlwg, mewn milwrol, mesur, recordio, ac ati, mae transistorau yn fanteisiol iawn.
4.Strong a dibynadwy
100 gwaith yn fwy dibynadwy na'r tiwb electron, ymwrthedd sioc, ymwrthedd dirgryniad, sy'n anghymharol â'r tiwb electron.Yn ogystal, dim ond un rhan o ddeg i un ganfed o faint y tiwb electron yw maint y transistor, ychydig iawn o ryddhau gwres y gellir ei ddefnyddio i ddylunio cylchedau bach, cymhleth, dibynadwy.Er bod y broses weithgynhyrchu transistor yn fanwl gywir, mae'r broses yn syml, sy'n ffafriol i wella dwysedd gosod cydrannau.